Krystaly GaSe
Pomocí krystalu GaSe byla výstupní vlnová délka naladěna v rozsahu od 58,2 µm do 3540 µm (od 172 cm-1 do 2,82 cm-1) s maximálním výkonem 209 W. Výstupní výkon tohoto THz byl výrazně zlepšen. zdroj od 209W do 389W.
Krystaly ZnGeP2
Na druhou stranu, na základě DFG v krystalu ZnGeP2 byla výstupní vlnová délka naladěna v rozmezích 83,1–1642 µm a 80,2–1416 µm pro dvě konfigurace fázového přizpůsobení. Výstupní výkon dosáhl 134 W.
GaP krystaly
Pomocí krystalu GaP byla výstupní vlnová délka naladěna v rozsahu 71,1–2830 µm, přičemž nejvyšší špičkový výkon byl 15,6 W. Výhoda použití GaP oproti GaSe a ZnGeP2 je zřejmá: pro dosažení ladění vlnové délky již není zapotřebí rotace krystalu. stačí naladit vlnovou délku jednoho směšovacího paprsku v šířce pásma tak úzkého jako 15,3 nm.
Pro shrnutí
Konverzní účinnost 0,1 % je také nejvyšší, jaká kdy byla dosažena u stolního systému využívajícího komerčně dostupný laserový systém jako zdroje pumpy. Jediný THz zdroj, který by mohl konkurovat GaSe THz zdroji, je laser s volnými elektrony, který je extrémně objemný. a spotřebovává obrovskou elektrickou energii.Kromě toho lze výstupní vlnové délky těchto zdrojů THz ladit v extrémně širokých rozsazích, na rozdíl od kvantových kaskádových laserů, z nichž každý může generovat pouze pevnou vlnovou délku. Proto by určité aplikace, které lze realizovat pomocí široce laditelných monochromatických zdrojů THz, nebyly možné, pokud se místo toho spoléháme na subpikosekundové THz pulsy nebo kvantové kaskádové lasery.
